臺灣研發(fā)出全球最小9納米內存技術 容量增20倍
2010/12/18
據(jù)香港中通社報道，臺灣“國研院”納米(臺稱“奈米”)組件實驗室日前開發(fā)出全球最小的9納米功能性電阻式內存(R-RAM)數(shù)組晶胞；這個新內存在幾乎不需耗電的情況下，1平方厘米面積內可儲存1個圖書館的文字數(shù)據(jù)，將讓信息電子產品的輕薄短小化有無限發(fā)揮的可能性，這項技術預計在5到10年內進入批量生產。
負責“9納米超節(jié)能內存”開發(fā)的何家驊博士說，隨著可攜式3C產品對體積越來越小以及容量越來越大的需求日益增加，如何能研發(fā)出體積更小、記憶量更大的內存，是全球研究人員努力的目標。
如今臺灣開發(fā)出最小的9納米功能性電阻式內存(R-RAM)數(shù)組晶胞，容量比現(xiàn)在的閃存增大20倍，但耗電量卻降低了200倍，應用這個技術在1平方厘米面積下，可以儲存1個圖書館的文字數(shù)據(jù)，而且可再借立體堆棧設計，進一步提升容量，讓信息電子產品的輕薄短小化有無限發(fā)揮的可能性。
該開發(fā)成果已于12月8日在美國舊金山舉行的國際電子組件會議正式發(fā)表。
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